- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
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CSD16413Q5A 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD16413Q5A
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.9 毫欧 @ 24A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.7nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):+16V,-12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1780pF @ 12.5V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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TPS62442-Q1:具有可调频率的汽车类 2.75V 至 6V 双路 2A 或 3A/1A 输出降压转换器
LMK04011:具有 1430 至 1570MHz VCO 的低噪声抖动消除器:5 路输出用于 2VPEC/LVPEC
CD4724B:CMOS 8 位可寻址锁存器
TPS2388:2 线对、2 类、8 通道 PoE PSE
TSB41BA3D:支持 S400 的 1394b PHY
BQ24773:具有系统监控器和处理器热指示器的 I2C 1 至 4 节 NVDC 降压电池充电控制器
AFE5818:具有 CW 无源混频器的 16 通道超声波模拟前端,噪声为 0.75nV/rtHz,功耗为 124mW/通道
TPS6521825:适用于 NXP i.MX 8M mini 的电源管理 IC (PMIC)
SN74AVC16834:具有三态输出的 18 位通用总线驱动器
TPL7407LA:30V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器
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