- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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CSD16556Q5B 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD16556Q5B
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.07 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):47nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6180pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),191W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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SN74LVC1G18:具有三态淘汰输出的二选一同向多路解复用器
OPA2354A-Q1:汽车类 250MHz 轨到轨 I/O CMOS 双通道运算放大器
UC2856Q:工作温度范围为 -40°C 至 125°C 的 40V、1.5A 电流模式 1MHz PWM 控制器
DRV425:用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器
MSP430AFE231:具有 1 个 24 位 Σ-Δ ADC、8KB 闪存和 512B RAM 的 12MHz 计量 AFE
TPS7A02:具有使能功能的 200mA、毫微功耗 IQ (25nA)、低压降 (LDO) 稳压器
THS1206M:12 位、6MSPS ADC,四通道(可配置)、DSP/uP 接口、集成16x FIFO、信道自动扫描功能和低功耗模式
DS110DF111:8.5Gbps 至 11.3Gbps 低功耗多速率双通道重定时器
SN74HC257:具有三态输出的四路 2 线路到 1 线路数据选择器/多路复用器
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