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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
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CSD17507Q5A 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17507Q5A
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），65A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.8 毫欧 @ 11A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：530pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
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CD74HCT534：具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路正边沿触发式 D 型反相触发器
LM4041-N：固定和可调节、45μA、精密微功耗并联电压基准
TPD3S714-Q1：具有电池短路和接地短路保护功能的汽车类 USB 2.0 接口保护
TPS3800G27：超小型电源电压监控器
SN74LVC1GX04-EP：增强型产品单路 1.65V 至 5.5V 反相器
VCA821：宽带、大于 40dB 调节范围、dB 线性可变增益放大器
THP210：高精密（40μV、0.1μV/C）、高压 (36V)、低噪声 (3.7nV/√Hz) 全差分放大器
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IWR6843：集成有处理功能的 60GHz 至 64GHz 单芯片智能毫米波传感器
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