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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
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CSD17570Q5B 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17570Q5B
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.69 毫欧 @ 50A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：121nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：13600pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD17570Q5B优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS62171：采用 2x2 QFN 封装的 3–17V 0.5A 降压转换器
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SN74LVC4245A：具有三态输出的八路总线收发器和 3.3V 至 5V 移位器
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