- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DDPAK/TO-263-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
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CSD18511KTT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18511KTT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):194A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):188W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:DDPAK/TO-263-3
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DLPC3420:适用于 DLP160AP(0.16 英寸 QnHD)数字微镜器件的 DLP 显示控制器
SN74LVC3G07-Q1:具有漏极开路输出的汽车类 3 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器
OPA2349:Dual, 5.5-V, 70-kHz, low quiescent current (1-μA), RRIO operational amplifier
LP8758-B0:四相、单路 16A 输出直流/直流降压转换器
SN74HCS244:具有三态输出和施密特触发输入的八路缓冲器和线路驱动器
TPS22962:具有输出放电功能的 5.5V、10A、4.4mΩ 负载开关
LP87332A-Q1:用于 TDA3x 处理器和 DDR3x 的汽车类双路 3A 降压转换器和双路线性稳压器
TMS320F28377D-Q1:具有 800MIPS、2xCPU、2xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的汽车类 C2000 32 位 MCU
CDCVF855:2.5V 锁相环路 DDR 时钟驱动器
LMH5401:8GHz 超宽带、全差动放大器
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