- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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CSD18532NQ5BT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18532NQ5BT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.4 毫欧 @ 25A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5340pF @ 30V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),156W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
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LMV602:Dual, 5.5-V, 1-MHz, high output current (75mA), RRO operational amplifier
CD54HCT273:具有复位功能的高速 CMOS 逻辑八路 D 型触发器
INA381:具有集成过流比较器的 26V、350kHz 电流检测放大器
SN74LS641:具有集电极开路输出的八路总线收发器
LMV772:双通道、低失调电压、低噪声、RRO 运算放大器
DRV8220:具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器
DS90CR286AT-Q1:3.3V 上升沿数据选通信号 LVDS 接收器 28 位 Channel Link 66MHz
BQ7716:用于 2 至 4 节锂离子电池且具有外部延迟电容的过压保护系列
SN74AVCH1T45:具有可配置电压转换和 3 态输出的单位双电源总线收发器
CD54HCT32:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 或门
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