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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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CSD18532NQ5BT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD18532NQ5BT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5340pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），156W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD18532NQ5BT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LMV602：Dual, 5.5-V, 1-MHz, high output current (75mA), RRO operational amplifier
CD54HCT273：具有复位功能的高速 CMOS 逻辑八路 D 型触发器
INA381：具有集成过流比较器的 26V、350kHz 电流检测放大器
SN74LS641：具有集电极开路输出的八路总线收发器
LMV772：双通道、低失调电压、低噪声、RRO 运算放大器
DRV8220：具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器
DS90CR286AT-Q1：3.3V 上升沿数据选通信号 LVDS 接收器 28 位 Channel Link 66MHz
BQ7716：用于 2 至 4 节锂离子电池且具有外部延迟电容的过压保护系列
SN74AVCH1T45：具有可配置电压转换和 3 态输出的单位双电源总线收发器
CD54HCT32：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 或门
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