- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DDPAK/TO-263-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
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CSD18536KTTT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18536KTTT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):200A(Ta),349A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.6 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11430pF @ 30V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):375W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:DDPAK/TO-263-3
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UCC1804:低功耗 BiCMOS 电流模式 PWM
LMP2014MT:四路、高精度、轨到轨输出运算放大器
TRF3705:300MHz 至 4GHz 正交调制器
SN74LVC00A:4 通道、2 输入、1.65V 至 3.6V 与非门
PGA204:50μV 失调电压、G=1、10、100、1000 可编程增益仪表放大器
LMX2592:具有集成 VCO 的 9.8GHz 宽带频率合成器
CDCVF2510A:具有断电模式的 3.3V 锁相环路时钟驱动器
TLV3012:具有基准电压的低功耗比较器(推挽)
DS42MB100:具有发送预加重和接收均衡功能的 4.25Gbps 2:1/1:2 CML 多路复用器/缓冲器
MSP430FR5889:适用于流量计的旋转感应 MCU,具有扩展扫描接口、128KB FRAM、2KB SRAM
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