- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
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CSD18537NQ5AT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18537NQ5AT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 12A、 10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1480pF @ 30V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),75W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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DLP650TE:DLP 0.65 英寸 4K UHD 数字微镜器件 (DMD)
TLV4172:Quad, 36-V, 10-MHz, low-power operational amplifier for cost-sensitive applications
ADS8557:670kSPS、14 位、6 通道、同步采样 ADC
TAS5760M-Q1:汽车类 25W、2 通道、4.5V 至 26.4V 电源数字输入 D 类音频放大器
CDCLVC1102:低抖动 1:2 LVCMOS 扇出时钟缓冲器
TPS62612:350mA、6MHz、1.5V 输出高效降压转换器
LM2577:3.5V 至 40V、3A 低元件数升压稳压器
UC2855B:具有 10.5V/10V UVLO 和零电压转换模式、温度范围为 –40°C 至 85°C 的双极性 CCM PFC 控制器
LP3988:具有电源正常指示和使能功能的 150mA、低压降稳压器
AMC7924:具有多通道 ADC、双极 DAC 和温度传感器的 24 通道 12 位模拟监控器和控制器
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