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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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CSD19501KCS 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19501KCS
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3980pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：217W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220-3
- CSD19501KCS优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LMC6064：精密 CMOS 四路微功耗运算放大器
REF35：650nA 静态电流、12ppm/°C 温漂、超低功耗精密电压基准
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UC2823B：具有 16V/10V UVLO 和 100% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、2A 双端 1MHz PWM 控制器
ADS8661：具有可编程 (±12/±10/±6/±5/±2.5V) 输入范围、+5V 电源的 12 位、1.25MSPS、单通道 SAR ADC
TM4C1233E6PZ：具有 80MHz 频率、128KB 闪存、32KB RAM、CAN、RTC 和 USB-D、采用 100 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
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