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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
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CSD19502Q5B 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19502Q5B
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 19A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4870pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），195W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD19502Q5B优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
BQ21040：0.8A 单节锂离子和锂聚合物电池充电器
LPV812：双通道 425nA 精密毫微功耗运算放大器
DLPC6401：适用于高亮度便携显示屏的 DLP 显示控制器
SN54HC00：军用 4 通道、2 输入、2V 至 6V 与非门
LM567C：语音解码器
REF3318：1.8V、30ppm/°C 温漂、3.9μA、3 引脚 SOT-23、3 引脚 SC70、8 引脚 UQFN 电压基准
REF3112：采用 3 引脚 SOT-23 封装的 1.25V、20ppm/°C（最大值）、100μA 串联电压基准
LM49251：具有 20mW 耳机放大器的 1.37W 立体声、模拟输入 AB 类音频放大器
AM26LV31：低电压高速四路差分线路驱动器
TPS23750：具有反激式直流/直流控制器的 3 级 PoE PD
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理