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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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CSD19534KCS 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD19534KCS
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16.5 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22.2nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1670pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):118W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220-3
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ISO7221B:双通道、1/1、5Mbps 数字隔离器
MSP430F5637:具有 192KB 闪存、16KB SRAM、12 位 ADC、12 位 DAC、比较器、DMA 和 USB 的 20MHz MCU
OPA397:单路、低失调电压 (0.06mV)、低噪声、低偏置电流、成本优化型、RRIO、e-trim 运算放大器
TPS2552D:低电平有效且具有闭锁和反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节低电平有效、反向阻断并提供多种包装的 ILIMIT 2.5-6.5V 85mΩ USB 电源开关
TPS60502:250mA 1.8V 高效降压电荷泵
BQ29330:二、三、四节锂离子或锂聚合物电池保护 AFE
DRA714:适用于信息娱乐系统和仪表组且具有图形功能和 DSP 的 600MHz Arm Cortex-A15 SoC 处理器
LMV824-N:Quad, 5.5-V, 5.6-MHz, RRO operational amplifier
DS90LV804:4 通道 800Mbps LVDS 缓冲器/中继器
SN74LS151:8 线至 1 线数据选择器/多路复用器
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