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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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CSD19535KTTT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19535KTTT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7930pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DDPAK/TO-263-3
- CSD19535KTTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TLV5580：8 位 80MSPS ADC，单通道、高通道带宽、低功耗
MSP430G2101：具有 1KB 闪存、128B SRAM 和计时器的 16MHz MCU
TLV6700：采用集成基准的低功耗窗口比较器
UCC38085：具有可编程斜率补偿、100μs 软启动、12.5/8.3 UVLO、温度范围为 0°C 至 70°C 的电流模式推挽式 PWM
SN54ALS646：具有三态输出的八路总线寄存收发器
TPS65013：采用 QFN-48 封装的多通道 1 节锂离子电池 PMIC：USB/AC 充电器、2 个 DC/DC、2 个 LDO 以及 I2C 接口
ADS1015：具有 PGA、振荡器、VREF、比较器、I2C 的 12 位 3.3kSPS 4 通道 Δ-Σ ADC
TPS62303：采用 QFN 或芯片级封装的 1.8V 500mA 输出的 3MHz 降压转换器
TPS3802：具有手动复位功能的 400ms 延迟、小型电源电压监控器
TLV2461A-Q1：Automotive-grade, single, 6-V, 6.4-MHz, 1.5-mV offset, RRIO operational amplifier
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