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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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CSD19536KTT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19536KTT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：153nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12000pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DDPAK/TO-263-3
- CSD19536KTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DLP780TE：DLP 0.78 英寸 4K UHD 数字微镜器件 (DMD)
SN74LS652：八路总线收发器和寄存器
TLC272A：Dual, 16-V, 2-MHz, 5-mV offset voltage, In to V- operational amplifier
INA250：具有集成分流电阻的 36V、双向、精密电流感应放大器
TPS2041B：低电平有效的 0.5A 负载、±25% ILIMIT 精度、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关
TPS2115：具有手动、自动、慢速切换和状态输出功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器
CDCM6208V2G：2:8 超低功耗、低抖动时钟发生器，引脚模式型号 V2G
UCC28C45-EP：增强型产品 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器
DS110DF410：具有自适应 EQ、CDR 和 DFE 的 8.5Gbps 至 11.3Gbps 四通道重定时器
CD74HCT243：具有三态输出的高速 CMOS 逻辑四路总线收发器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理