- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:4-DSBGA(1x1)
- 技术参数:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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CSD23202W10 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD23202W10
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):2.2A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):53 毫欧 @ 500mA,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.8nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):-6V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):512pF @ 6V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:4-DSBGA(1x1)
- CSD23202W10优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
DS90UB913Q-Q1:10MHz 至 100MHz 10/12 位 FPD-Link III 串行器
SN65LBC176A:差动总线收发器
SN54LVC74A:具有清零和预置端的双路正边沿触发式 D 型触发器
SN74LS673:具有输出存储寄存器的串行输入移位寄存器
BQ24314C:过压和过流保护 IC 及锂离子电池充电器前端保护 IC
SN65LVDT352:具有 –4V 至 5V 共模范围的四路接收器
UCC2818-EP:增强型产品 BiCMOS 功率因数预调节器
TPS2110A:具有手动和自动切换功能的 2.8V 至 5.5V、120mΩ、0.75A 电源多路复用器
TPS61071-Q1:采用 ThinSOT-23 封装且具有强制 PWM 模式的可调节 600mA 开关、1200kHz 升压转换器
SN74F163A:同步 4 位二进制计数器
丰富的可销售TI代理库存,专业的销售团队可随时响应您的紧急需求,目标成为有价值的TI代理