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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-WSON(2x2)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
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CSD25310Q2T 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD25310Q2T
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):23.9 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):655pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.9W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-WSON(2x2)
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LMC6035:Dual, 15.5-V, 1.4-MHz operational amplifier
SN74AVC16245:具有三态输出的 16 位总线收发器
OPA171-Q1:Automotive-grade, single, 36-V, 3-MHz, low-power operational amplifier
SN65LVDT125A:4x4 1.5Gbps LVDS 交叉点开关
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LP87563-Q1:具有集成开关的汽车类多相 8A + 4A + 4A 降压转换器
SN74HC00:4 通道、2 输入、2V 至 6V 与非门
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