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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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CSD85312Q3E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD85312Q3E
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerVDFN
- CSD85312Q3E优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
UC3907：具有 0°C 至 70°C 工作温度范围的 35V 负载共享控制器
TPS2514：USB 专用充电端口控制器 - 第 1 代
TPS75233-EP：快速瞬态响应稳压器（增强型产品）
LMR23610：SIMPLE SWITCHER 36V、1A 同步降压转换器
LMK04111：具有集成式 1430MHz 至 1570MHz VCO 的抖动消除器：5 路输出用于 2VPEC/LVPEC
SN74ACT2227：64 x 1 x 2 双独立同步 FIFO 存储器
LM27313-Q1：具有 30V 内部 FET 开关并采用 SOT-23 封装的 1.6MHz 升压转换器，符合 AEC-Q100 标准
TPS37：具有超低静态电流和延时功能的 65V 窗口监控器
TPS62812-Q1：采用 2mm x 3mm 可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 2.75V 至 6V、2A 降压转换器
CD74HC40103：高速 CMOS 逻辑 8 级同步减计数器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理