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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
  • 技术参数:SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
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CSD86336Q3DT 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD86336Q3DT
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:逻辑电平栅极,5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.1 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA,1.6V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):494pF @ 12.5V,970pF @ 12.5V
  • 功率-最大值:6W
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerTDFN
  • CSD86336Q3DT优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74ALS990:八路 D 类透明读回锁存器
DCP021212:微型 2W 隔离式非稳压直流/直流转换器
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SN75161B:八路通用接口总线收发器
TPS2046A:低电平有效的 2 通道、0.25A 负载、0.5A ILIMIT、2.7-5.5V、80mΩ USB 电源开关
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