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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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CSD86350Q5DT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD86350Q5DT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA，1.6V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.7nC，25nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1870pF，4000pF @ 12.5V
- 功率-最大值：13W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
- CSD86350Q5DT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
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