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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
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CSD87331Q3D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD87331Q3D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V，1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：518pF @ 15V
- 功率-最大值：6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
- CSD87331Q3D优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CSD85301Q2：采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
ADS114S08：适用于传感器测量且具有 PGA 和电压基准的 16 位、4kSPS、12 通道 Δ-Σ ADC
SN74AC244：具有三态输出的 8 通道、2V 至 6V 缓冲器
SN74LV125A：具有三态输出的 4 通道、2V 至 5.5V 缓冲器
TPS652510：4.5V 至 16V 输入、3A/2A/2A 输出同步三路降压转换器
TCA9534：具有中断和配置寄存器的 8 位 1.65V 至 5.5V I2C/SMBus I/O 扩展器
CSD87350Q5D：采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
DS90C189-Q1：低功耗 1.8V 双像素 FPD 链接 (LVDS) 串行器
SN54LS21：军用 2 通道、4 输入、4.5V 至 5.5V 双极与门
UC2843：具有 8.4V/7.6V UVLO 100% 占空比、温度范围为 -40°C 至 85°C 的 30V、1A、500KHz 电流模式 PWM 控制器
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