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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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CSD88537NDT 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD88537NDT
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 30V
  • 功率-最大值:2.1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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DCP010507DB:微型、1W 隔离未稳压直流/直流转换器
SN5445:BCD 至十进制解码器/驱动器
BQ27500-V130:系统侧 Impedance Track 电量监测计,固件版本为 v1.30
SN65HVD61:ControlNet 收发器
SN74HCT14-Q1:具有施密特触发输入的汽车类 6 通道、4.5V 至 5.5V 反相器
TPS60122:具有低电池电量检测器的稳压 100mA、3.3V 高效电荷泵直流/直流转换器
DRV8353M:具有电流分流放大器和扩展温度范围的最大 102V 三相智能栅极驱动器
LM3880-Q1:具有固定延时时间的汽车级 3 电压轨简易电源序列发生器
CSD87313DMS:采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
RC4559:Dual, 30-V, 4-MHz, low noise (7-nV/√Hz) operational amplifier
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