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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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CSD88537NDT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD88537NDT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 30V
- 功率-最大值：2.1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- CSD88537NDT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DCP010507DB：微型、1W 隔离未稳压直流/直流转换器
SN5445：BCD 至十进制解码器/驱动器
BQ27500-V130：系统侧 Impedance Track 电量监测计，固件版本为 v1.30
SN65HVD61：ControlNet 收发器
SN74HCT14-Q1：具有施密特触发输入的汽车类 6 通道、4.5V 至 5.5V 反相器
TPS60122：具有低电池电量检测器的稳压 100mA、3.3V 高效电荷泵直流/直流转换器
DRV8353M：具有电流分流放大器和扩展温度范围的最大 102V 三相智能栅极驱动器
LM3880-Q1：具有固定延时时间的汽车级 3 电压轨简易电源序列发生器
CSD87313DMS：采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
RC4559：Dual, 30-V, 4-MHz, low noise (7-nV/√Hz) operational amplifier
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