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- 制造厂商：TI
- 类别封装：磁性传感器 - 线性，罗盘（IC），器件封装：SOT-23-3
- 技术参数：RATIOMETRIC LINEAR HALL EFFECT S
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DRV5055Z3QDBZR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DRV5055Z3QDBZR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：RATIOMETRIC LINEAR HALL EFFECT S
- 产品系列：磁性传感器 - 线性，罗盘（IC）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件状态：有源
- 技术：霍尔效应
- 轴：单路
- 输出类型：模拟电压
- 感应范围：±85mT
- 电压-供电：3V ~ 3.63V，4.5V ~ 5.5V
- 电流-供电（最大值）：10mA
- 电流-输出（最大值）：1mA
- 分辨率：-
- 带宽：20kHz
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 特性：温度补偿
- 器件封装：SOT-23-3
- 安装类型：表面贴装型
- DRV5055Z3QDBZR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74ALS541：具有三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 双极缓冲器
SN74LV221A-Q1：汽车类双路单稳多频振荡器
SN75124：三路线路接收器
TLC2274A-Q1：汽车类高级 LinCMOS 轨到轨四路精密运算放大器
SN54LS03：具有集电极开路输出的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
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ADC124S021：4 通道、50 ksps 至 200 Ksps、12 位模数转换器
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BQ24079T：具有电源路径、4.1V VBAT 和基于电压的 TS 的独立型单节电池 1.5A 线性充电器
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