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- 制造厂商：TI
- 类别封装：嵌入式 - 微控制器，产品封装：108-LFBGA
- 技术参数：IC MCU 32BIT 64KB FLASH 108BGA
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LM3S1165-IBZ50-A2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：LM3S1165-IBZ50-A2
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC MCU 32BIT 64KB FLASH 108BGA
- 产品系列：嵌入式 - 微控制器
- 包装：托盘
- 系列：Stellaris? ARM? Cortex?-M3S 1000
- 零件状态：不適用於新設計
- 核心处理器：ARM? Cortex?-M3
- 内核规格：32-位
- 速度：50MHz
- 连接能力：I2C，IrDA，Microwire，SPI，SSI，UART/USART
- 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
- I/O数：43
- 程序存储容量：64KB（64K x 8）
- 程序存储器类型：闪存
- EEPROM容量：-
- RAM大小：16K x 8
- 电压-供电(Vcc/Vdd)：2.25V ~ 2.75V
- 数据转换器：A/D 4x10b
- 振荡器类型：内部
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：108-LFBGA
- LM3S1165-IBZ50-A2优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
OPA2140：11MHz、精密、低噪声、轨至轨输出、36V JFET 运算放大器
SN74HC138：3 线至 8 线解码器/多路解复用器
TMS570LS2134：16/32 位 RISC 闪存 MCU，Arm Cortex-R4F
OPA4703：Quad, 12-V, 1-MHz, low-offset operational amplifier
CSD22202W15：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、12.2mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TMS470MF03107：16/32 位 RISC 闪存微控制器
BQ25708：SMBus 多化合物电池降压/升压充电控制器
CSD19506KCS：采用 TO-220 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
UCC28019A：具有增强启动和瞬态响应功能的 65kHz CCM PFC 控制器
TLV320AIC3107：具有集成单声道 D 类放大器的低功耗立体声编解码器
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