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- 制造厂商：TI
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：10-WDFN
- 技术参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSON
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LM5110-3SDX 技术参数详情：
- 制造商产品型号：LM5110-3SDX
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSON
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 驱动配置：低端
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：3.5V ~ 14V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.2V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，5A
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：10-WDFN
- LM5110-3SDX优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CY74FCT162H501T：具有总线保留和三态输出的 18 位通用总线收发器
TL071：Single, 30-V, 3-MHz, high slew rate (13-V/μs), In to V+, JFET-input op amp
LME49743：4 通道、30MHz、高保真、高性能音频运算放大器
CSD86356Q5D：采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
UC2843A-Q1：汽车类 8.5V 至 30V、高达 500kHz 电流模式 PWM 控制器
CSD18509Q5B：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TMS320F28235-Q1：具有 150MIPS、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的汽车类 C2000 32 位 MCU
LMK61E2：156.250MHz、±50ppm、超低抖动、集成式 EEPROM、完全可编程振荡器
TMP461-SP：耐辐射加固保障 (RHA)、高精度远程和本地温度传感器
DCR021205：微型 2W 隔离稳压直流/直流转换器
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