- 制造厂商:TI
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
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TL031IDG4 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TL031IDG4
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:1
- 输出类型:-
- 压摆率:5.1V/μs
- 增益带宽积:1.1MHz
- -3db带宽:-
- 电流-输入偏置:2pA
- 电压-输入补偿:500μV
- 电流-供电:217μA
- 电流-输出/通道:-
- 电压-供电,单/双?(±):10V ~ 30V,±5V ~ 15V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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OPA4313:Quad, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (50-μA), RRIO operational amplifier
TPS2113A:具有自动切换和状态输出功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器
LM392-N:低功耗运算放大器/电压比较器
SN74LS11:3 通道、3 输入、4.75V 至 5.25V 双极与门
LMC6022:Dual, 15.5-V, 350-kHz operational amplifier
LM98640QML-SP:具有 LVDS 输出的双通道、14 位、40MSPS 模拟前端
DLP480RE:DLP 0.48 WUXGA DMD
CSD23203W:采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
CSD17555Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
LMC7101:Single, 15.5-V, 1.1-MHz operational amplifier
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