- 制造厂商:TI
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
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TLE2161IDR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TLE2161IDR
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:Excalibur?
- 零件状态:有源
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:1
- 输出类型:-
- 压摆率:10V/μs
- 增益带宽积:6.4MHz
- -3db带宽:-
- 电流-输入偏置:4pA
- 电压-输入补偿:600μV
- 电流-供电:290μA
- 电流-输出/通道:80mA
- 电压-供电,单/双?(±):±3.5V ~ 18V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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CY74FCT574T:具有三态输出的八路边沿触发式 D 型触发器
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BQ3285E:具有 242x8 NVSRAM 警报唤醒功能的 RTC IC
SN74LV74A-EP:增强型产品双路正边沿触发式 D 型触发器
SN75138:四路总线收发器
BQ2973:锂离子/锂聚合物高级单节电池保护器
DRV8343-Q1:具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器
SMV512K32-SP:16MB 防辐射 SRAM
LV2862:采用超小型 SOT23 封装的 4.5V 至 60V 600mA 降压转换器
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