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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC CMOS 1 CIRCUIT 8SOIC
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TLV271IDR 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TLV271IDR
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:IC CMOS 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 放大器类型:CMOS
  • 电路数:1
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:2.6V/μs
  • 增益带宽积:3MHz
  • -3db带宽:-
  • 电流-输入偏置:1pA
  • 电压-输入补偿:500μV
  • 电流-供电:625μA
  • 电流-输出/通道:8mA
  • 电压-供电,单/双?(±):2.7V ~ 16V,±1.35V ~ 8V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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BQ24196:具有窄范围 VDC 电源路径的 I2C 控制型 2.5A 单节电池 USB/适配器充电器
CSD18511KCS:采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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TPS99001-Q1:用于汽车外部照明的 DLP 系统管理与照明控制器
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SN74AHC245-EP:具有三态输出的增强型产品八路总线收发器
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TPS22944:使能端高电平有效、具有电流限制的 5.5V、0.1A、500mΩ 负载开关
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