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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
- 技术参数：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
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TPS1100DR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPS1100DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+2V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：791mW（Ta）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOIC
- TPS1100DR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TLC3702-EP：增强型产品双路微功耗 Lincmos 电压比较器
CDCE937：具有 2.5V 或 3.3V LVCMOS 输出的可编程 3-PLL VCXO 时钟合成器
OPA1654：四路 SoundPlus 低噪声和低失真、通用 FET 输入音频运算放大器
UCC23513-Q1：具有 8V/12V UVLO 的汽车类 5.7kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器
TM4C123AE6PM：具有 80MHz 频率、128KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
TLC271A：Single, 16-V, 2-MHz, 5-mV offset voltage, In to V- operational amplifier
MSP430F6779A：具有 7 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、AES、512KB 闪存和 32KB RAM 的多相位计量 SoC
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TPS54340：具有 Eco-mode 的 42V 输入、3.5A、降压 DC/DC 转换器
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