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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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TPS1101DR 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TPS1101DR
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):15V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):2.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+2V,-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):791mW(Ta)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
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CD54HC238:高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器(反向和同向)
TPS7A54:4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、高精度、超低压降 (LDO) 稳压器
CD74HC4543:用于 LCD 的高速 CMOS 逻辑 BCD 至 7 段锁存器/解码器/驱动器
OPA1688:36V、10MHz、低失真高驱动轨到轨输出音频运算放大器
SN74AXC8T245-Q1:具有可配置电压转换和三态输出的汽车类 8 位双电源总线收发器
MSP430F5631:具有 192KB 闪存、16KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB、计时器和硬件乘法器的 20MHz MCU
DAC8562-Q1:具有 2.5V、4ppm/C 参考的汽车类 16 位双路低功耗超低毛刺脉冲缓冲电压输出 DAC
TPS563202:采用 SOT563 封装的 4.5V 至 17V 输入、3A 同步降压转换器
ADS1015-Q1:具有 PGA、振荡器、VREF、比较器、I2C 的汽车类 12 位 3.3kSPS 4 通道 Δ-Σ ADC
TPS766:具有电源正常指示和使能功能的 250mA、10V、低 IQ、低压降稳压器
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