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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
- 技术参数：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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TPS1101DR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPS1101DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.25nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+2V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：791mW（Ta）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOIC
- TPS1101DR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CD54HC238：高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器（反向和同向）
TPS7A54：4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、高精度、超低压降 (LDO) 稳压器
CD74HC4543：用于 LCD 的高速 CMOS 逻辑 BCD 至 7 段锁存器/解码器/驱动器
OPA1688：36V、10MHz、低失真高驱动轨到轨输出音频运算放大器
SN74AXC8T245-Q1：具有可配置电压转换和三态输出的汽车类 8 位双电源总线收发器
MSP430F5631：具有 192KB 闪存、16KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB、计时器和硬件乘法器的 20MHz MCU
DAC8562-Q1：具有 2.5V、4ppm/C 参考的汽车类 16 位双路低功耗超低毛刺脉冲缓冲电压输出 DAC
TPS563202：采用 SOT563 封装的 4.5V 至 17V 输入、3A 同步降压转换器
ADS1015-Q1：具有 PGA、振荡器、VREF、比较器、I2C 的汽车类 12 位 3.3kSPS 4 通道 Δ-Σ ADC
TPS766：具有电源正常指示和使能功能的 250mA、10V、低 IQ、低压降稳压器
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