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- 制造厂商：TI
- 类别封装：隔离器 - 栅极驱动器，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：6A 3KVRMS SINGLE CH ISO DR 8V U
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UCC5350SBDR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：UCC5350SBDR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：6A 3KVRMS SINGLE CH ISO DR 8V U
- 系列：隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- 技术：容性耦合
- 通道数：1
- 电压-隔离：3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/μs
- 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：100ns，100ns
- 脉宽失真（最大）：20ns
- 上升/下降时间（典型值）：10ns，10ns
- 电流-输出高、低：8.5A，10A
- 电流-峰值输出：-
- 电压-正向(Vf)（典型值）：-
- 电流-DC正向(If)（最大值）：-
- 电压-?输出供电：9.5V ~ 33V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
- UCC5350SBDR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
OPA2140：11MHz、精密、低噪声、轨至轨输出、36V JFET 运算放大器
SN74HC138：3 线至 8 线解码器/多路解复用器
TMS570LS2134：16/32 位 RISC 闪存 MCU，Arm Cortex-R4F
OPA4703：Quad, 12-V, 1-MHz, low-offset operational amplifier
CSD22202W15：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、12.2mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TMS470MF03107：16/32 位 RISC 闪存微控制器
BQ25708：SMBus 多化合物电池降压/升压充电控制器
CSD19506KCS：采用 TO-220 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
UCC28019A：具有增强启动和瞬态响应功能的 65kHz CCM PFC 控制器
TLV320AIC3107：具有集成单声道 D 类放大器的低功耗立体声编解码器
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