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ULN2003LVDR 图片
  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列,封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:TRANS 7NPN DARL 8V 0.5A 16SOIC
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ULN2003LVDR 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:ULN2003LVDR
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 8V 0.5A 16SOIC
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:7 NPN 达林顿
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):8V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
  • 电流-集电极截止(最大值):50μA
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 功率-最大值:-
  • 频率-跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • ULN2003LVDR优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM74701-Q1:具有集成 VDS 钳位的汽车类 3.2V 至 65V 电池反向保护理想二极管控制器
SN74HC165-Q1:汽车类 8 位并联负载移位寄存器
TPS54073:用于预偏置输出的 3V 至 4V 输入、14A 同步降压转换器
LM25115A:具有上电/断电跟踪功能的 42V、次级侧后置稳压器/同步降压控制器
DS99R105:3MHz 至 40MHz 直流平衡 24 位 LVDS 串行器
TPS62901:采用 1.5mm × 2mm QFN 封装的 3V 至 17V、1A、高效率、低 IQ 降压转换器
MSP430G2232:具有 2KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
SN74HC646:具有三态输出的八路总线收发器和寄存器
UCC21737-Q1:适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
SN74HC21:2 通道、4 输入、2V 至 6V 与门
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