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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 7CH 16SOIC
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ULN2003V12DR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ULN2003V12DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 7CH 16SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- FET功能：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- ULN2003V12DR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
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SN74AHCT240-Q1：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的汽车类 8 通道、4.5V 至 5.5V 反相器
SN74HC151-Q1：汽车类 5V、8:1、单通道、通用多路复用器
SN74ABTH162260：具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器
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CD4015B：CMOS 双路 4 级静态移位寄存器
SN74LVC08A-EP：增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 3.6V 与门
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