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TI首款零漂移霍尔效应电流传感器
(2024年11月22日更新)

德州仪器(TI)最近推出了第一款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101具有超低漂移和超高精度,可靠的3-kVrms隔离。这对于交流或直流高压系统尤为重要,如工业电机驱动、太阳能逆变器、储能设备和电源供应。

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工业系统对更高性能的持续需求推动着对更精确的电流测量的需求,除了可靠的操作之外,这通常伴随着增加的电路板空间或设计复杂性的成本。TI在隔离和高精度模拟方面积累了多年的技术储备TI一级代理用于TMCS1100和TMCS1101使工程师能够设计一个系统,在更长的设备使用寿命内提供一致的性能和诊断,保持解决方案尺寸的紧凑性,而无需增加设计时间。

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系统性能随着时间和温度的变化而最小漂移

即使在温度变化和设备老化等操作条件下,TMCS1100和TMCS1101的零漂移架构和实时灵敏度补偿也能达到极高的性能。该装置随温度变化具有领先的总灵敏度漂移,最大值为0.45%,至少比其他磁电流传感器低200%,最大满程偏移漂移小于0.1% ,在各种电流范围内提供更高的测量精度和可靠性。此外,在整个使用寿命范围内,0.5%的灵敏度漂移(至少比其他磁电流传感器低100%)显著降低了系统老化相关性能的下降。

高精度,可减少设备维护

此外,TMCS和TMCS1101(最大值为1.5%)的高精度不需要校准设备,随着时间的推移减少了设备所需的维护。该设备还具有典型的0.05%线性度,大大降低了信号失真,有助于扩大工业温度(-40°C 至 125°C)保持内部精度。

采用8引脚SOIC封装的3kVrms隔离可延长系统寿命

根据美国保险实验室(UL)1577标准,TMCS1100和TMCS1101的优质结构提供了固有的电气隔离能力kVrms在电网连接或电力系统严格的环境条件下,可实现60秒的隔离。在整个使用寿命期间,支持两个设备±600V工作电压比同一8引脚高SOIC市场设备封装高40%,经过严格测试,超出行业标准UL和VDE要求提供更大的设计裕度和延长设备使用寿命。

提高灵活性,满足各种设计需求,降低系统成本

TMCS外部基准电压源需要用于差分测量,使工程师能够优化设计,满足严格的性能目标。TMCS1101集成了电压基准,为实现引脚行业标准提供了高性能,简化了设计,降低了总成本。


TI公司被热门关注的产品型号
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INA240-Q1:放大器
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CD74ACT258:逻辑和电压转换
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TI 采用超小型 (SOT-563) 封装的 26V、350kHz、双向高精度电流感应放大器
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TI 具有 32KB 闪存、8KB SRAM、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB 和硬件乘法器的 25MHz MCU
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TI 具有集电极开路输出的 6 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器
UCC21540-Q1:电源管理
TI 具有 8V UVLO 和 3.3mm 通道间距的汽车类 5.7kVRMS、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器
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LM138:电源管理
TI 采用气密封装的 5A 可调输出线性稳压器/LDO
TMS320F280041C:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128kB 闪存、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000 32 位 MCU
TMS320DM8127:微控制器 (MCU) 和处理器
TI DaVinci 数字媒体处理器
SN54ACT244:逻辑和电压转换
TI 具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的军用 8 通道 4.5V 至 5.5V 缓冲器
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