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TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET隔离栅极驱动器具有集成传感功能,可显著节约能耗,为高压系统构建强屏障
(2025年3月25日更新)

2019年3月18日,北京新闻–德州仪器(TI) (纳斯达克代码: TXN)近日推出多款新型隔离格栅极驱动器。它们不仅能提供出色的监控能力,还能为高压系统建立强大的保护屏障。UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750可以帮助设计师开发更小、更高效、性能更好的牵引逆变器、车载充电器、太阳能逆变器和电机驱动设计。如需了解更多信息,请访问UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750。

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这些设备系统提供集成传感功能TI首先,适用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体效应晶体管(MOSFET),大大简化了设计,实现了更高的应用系统可靠性,最高工作电压为1.5KVRMS。通过集成组件,可以快速检测,有效保护过流事件,确保系统安全关闭。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750利用电容隔离技术,在提供高增强隔离电压、快速数据传输和高密度包装的同时,建立了较长的隔离势垒使用寿命。

系统稳定性日益成为高压电机驱动和功率输出应用的一大挑战TI高压电源部副总裁Steve Lambouses这些新型栅极驱动器使用了TI结合其他功能和支持,先进的隔离技术使工程师能够更快地进入可靠系统的生产阶段,并将系统体积和成本降低到更低的水平。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750产品的关键功能和优势

· 增强系统性能:新型隔离栅极驱动器的高峰驱动强度为±10 A,这使得开关行为具有最大限度,不仅降低了成本,还降低了2000 ns的过流保护可快速启动系统保护。

· 加强系统级可靠性:UCC217xx该系列通过电容隔离技术和行业领先的增强隔离电压达到12.8 kV的电涌抗扰性,延长了隔离势垒的使用寿命。此外,这些设备借助超过150 V/ns共模瞬变抑制能力(CMTI),确保数据通信的准确性。

· 减小系统尺寸:这些栅极驱动器通过集成缓冲区和传感器免除了使用外部组件的需要,更可借助隔离式模拟信号到PWM信号传感器提供准确的温度、电流或电压传感,从而大大简化了系统级诊断和开关故障预防设计。

先进的电源系统性能和可靠性

此外,TI还宣布为需要提高抗干扰性和扩大工作温度范围的工业应用设计师推出UCC23513是一种与光电元件兼容的栅极驱动器,驱动强度为3A,增强的安全隔离电压为5KVRMS。该新型栅极驱动器旨在大大提高电机驱动、太阳能逆变器和电源设备的系统性能和可靠性。它提供从-40oC 至 150oC宽结点的温度范围和100 V/ns的CMTI,使设计师能够达到传统光耦合器无法达到的性能水平。借助UCC23513与光隔离栅极驱动器的引脚兼容性及现成设计资源,包括200-480 VAC基于光电仿真输入栅极驱动的三相逆变器参考设计,设计师可以大大缩短产品上市时间。

包装、供货

您可通过TI商店获得UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513格栅驱动器预生产样品。下表列出了价格和包装类型。

去应用电力电子会议(APEC)的TI展台参观

请于2019年3月17日至21日前往加利福利TI代理应用电力电子会议在尼亚州阿纳海姆举行(APEC)上的511号TI探索这些电源管理设备,了解展位TI其他创新、设计和学习方法为工程师提供。

了解更多TI UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513栅极驱动器信息

阅读白皮书隔离栅极驱动器的影响和碳化硅栅极驱动器 – 电力电子领域的颠覆性技术。

了解碳化硅应用指南MOSFET短路保护。

参考博文替换落后的光耦合器栅极驱动器

高压隔离技术的工作原理是观看由四个视频组成的培训材料。

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SN74HCT573:逻辑和电压转换
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