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新的12英寸半导体晶圆制造基地TI正式破土动工
(2025年1月18日更新)

德州仪器(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布位于德克萨斯州谢尔曼(Sherman)新的12英寸半导体晶圆制造基地正式破土。谭普顿,德州仪器公司董事长、总裁、首席执行官(Rich Templeton)先生在动工仪式上庆祝了基地建设的正式开始,并重申了德州仪器承诺扩大其长期制造能力。

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谭普顿,德州仪器董事长、总裁、首席执行官(Rich Templeton)先生等公司领导出席了谢尔曼的新活动 12英寸半导体晶圆制造基地的动工仪式

谭普顿先生说:"今天是一个重要的里程碑,我们将为半导体在电子产品领域的发展奠定基础,以满足未来几十年客户的需求。公司成立90多年来,我们一直致力于通过半导体技术使电子产品更加经济实用,使世界更加美好。我们很高兴谢尔曼先进的12英寸半导体晶圆制造基地将有所帮助TI不断提高制造能力和技术竞争优势。"


谢尔曼是德州仪器的全新 12英寸半导体晶圆制造基地设计概念图

该项目投资约300亿美元,计划建造四家工厂,以满足长期市场需求。这些新工厂每天将在全球市场的各种电子产品领域制造数千万个模拟和嵌入式处理芯片。

可持续制造

一直以来,TI致力于负责任和可持续制造的长期承诺。新工厂将按照能源和环境设计先锋(LEED)设计金级认证标准,这是LEED建筑评级是结构效率和可持续发展的最高标准之一。采用先进的12英寸晶圆制造设备和技术,新工厂将进一步减少废物排放,减少水和能源消耗。

投资12制造英寸晶圆

谢尔曼晶圆制造基地的第一家工厂预计将于2025年投产。晶圆制造基地将加入TI包括德州达拉斯在内的12英寸晶圆制造商阵营(TI公司Dallas)DMOS六、位于德州理查森(Richardson)的RFAB1.预计将于2022年下半年竣工投产RFAB二、位于犹他州李海(Lehi)预计2023年初投产LFAB。谭普顿先生说:"对长期产能的持续投资将进一步提高公司的成本优势,加强对供应链的控制。"

一直以来,TI对长期产能持续投资,不断提升制造能力和技术竞争优势,以支持客户未来几十年的增长。TI集晶圆制造、封装、试验、凸点加工、晶圆试验于一体的中国成都生产制造基地,目前正在扩建第二个封装/试验厂。


TI公司被热门关注的产品型号
TUSB216I:接口
TI Commercial third-generation USB 2.0 highspeed signal conditioner with boost
TLV3704:放大器
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SN54AHCT14:逻辑和电压转换
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DS99R103:接口
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TS5A22364-Q1:开关与多路复用器
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TLV7081:放大器
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DRV8210P:电机驱动器
TI 具有低功耗睡眠模式的 11V、1A H 桥电机驱动器、PWM 控制
MSP430F5224:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 128KB 闪存、8KB SRAM、10 位 ADC、比较器、DMA 和 1.8V 双电源 I/O 的 25MHz MCU
TPS54229E:电源管理
TI 具有 Eco-Mode 的 4.5V 至 18V 输入、2A 同步降压转换器
SN74LS132:逻辑和电压转换
TI 具有施密特触发输入的 4 通道、2 输入、4.75V 至 5.25V 双极与非门
CD74HCT273:逻辑和电压转换
TI 具有复位功能的高速 CMOS 逻辑八路 D 型触发器
SN54HC164:逻辑和电压转换
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LP8869-Q1:电源管理
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SN54AC245-SP:逻辑和电压转换
TI 具有三态输出的八路总线收发器
TPS563212:电源管理
TI 具有 Eco-Mode 和可选 FCCM 的 4.2V 至 18V、3A、1.2MHz 同步降压转换器
TPS54308:电源管理
TI 4.5V 至 28V 输入、3A 输出、同步 350kHz FCCM 降压转换器
DAC7554:数据转换器
TI 低功耗、低毛刺脉冲、12 位 DAC
MSP430F5214:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 128KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和 1.8V 双电源 I/O 的 25MHz MCU
LM2623-Q1:电源管理
TI 符合 AEC-Q100 标准的 0.8V 至 14V 输入电压、2A 负载电流、升压直流/直流
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