
智能场效应管

TI公司被热门关注的产品型号(2025年4月18日更新)
LM4030:电源管理
TI 超高精密并联电压基准
BQ25172:电源管理
TI 采用 QFN 封装的 0.8A、1 至 6 节镍氢电池独立线性充电器
TM4C1237H6PZ:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、CAN、RTC 和 USB、采用 100 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
TPS65265:电源管理
TI 4.5V 至 17V 输入电压、5A/3A/2A 输出电流、三路降压转换器
OPA693:放大器
TI 具有禁用功能的超高宽带、固定增益缓冲器
TLV9364:放大器
TI 四路、40V、10.6MHz 轨至轨输出运算放大器
SN65LVDS387:接口
TI 16 通道 LVDS 驱动器
TPS51200A-Q1:电源管理
TI 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器
SN54S02:逻辑和电压转换
TI 军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极或非门
TPS61005:电源管理
TI 具有固定 3.0V 输出的低输入电压非同步升压转换器
SN54LS10:逻辑和电压转换
TI 军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
OPA2140:放大器
TI 11MHz、精密、低噪声、轨至轨输出、36V JFET 运算放大器
TPS54478:电源管理
TI 具有打嗝电流限制的 2.95V 至 6V 输入、4A SWIFT 同步降压转换器
TMS570LS2134:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 16/32 位 RISC 闪存 MCU,Arm Cortex-R4F
CSD86336Q3D:电源管理
TI 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
CSD22202W15:电源管理
TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、12.2mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TMS470MF03107:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 16/32 位 RISC 闪存微控制器
DRV425-Q1:传感器
TI 汽车类全集成型磁通门磁场传感器
UCC28019A:电源管理
TI 具有增强启动和瞬态响应功能的 65kHz CCM PFC 控制器
TI 具有集成单声道 D 类放大器的低功耗立体声编解码器
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