TLV713 系列低压降 (LDO) 线性稳压器具有较低的静态电流，并且线路和负载瞬态性能出色，适用于功耗敏感型 应用。此类器件可提供典型值为 1% 的精度。

TLV713 系列器件经过设计，无需使用输出电容即可稳定运行。移除输出电容器可实现极小的解决方案尺寸。然而，如果使用了一个输出电容器，TLV713 系列也可与任何输出电容器实现稳定运行。

TLV713 还可在器件上电和使能期间提供浪涌电流控制。TLV713 将输入电流限制到已定义的电流限值来避免来自输入电源的大电流。这个功能对于电池供电类器件十分重要。

TLV713 系列采用标准的 DQN 和 DBV 封装。TLV713P 提供了有源下拉电路，用于对输出负载进行快速放电。

• 有无电容器均可实现稳定运行
• 折返过流保护
• 封装：
  • 1mm × 1mm 4 引脚 X2SON
  • 5 引脚 SOT-23
• 超低压降：150mA 时为 230mV
• 准确度：1%
• 低 IQ：50μA
• 输入电压范围：1.4V 至 5.5V
• 可提供固定输出电压：1V 至 3.3V
• 高 PSRR：1kHz 时为 65dB
• 有源输出放电（仅限 P 版本）

• Output options
• Fixed Output
• Iout (Max) (A)
• 0.15
• Vin (Max) (V)
• 5.5
• Vin (Min) (V)
• 1.4
• Vout (Max) (V)
• 2
• Vout (Min) (V)
• 2
• Fixed output options (V)
• 2
• Noise (uVrms)
• 73
• Iq (Typ) (mA)
• 0.05
• Thermal resistance θJA (°C/W)
• 249
• Rating
• Catalog
• Load capacitance (Min) (μF)
• 0
• Regulated outputs (#)
• 1
• Features
• Enable, Foldback overcurrent protection
• Accuracy (%)
• 1.5
• PSRR @ 100 KHz (dB)
• 17
• Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)
• 230
• Operating temperature range (C)
• -40 to 85

TLV713的完整型号有：TLV71320DQNR、TLV71320DQNT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TLV71320DQNR，工作温度：-40 to 85，封装：X2SON (DQN)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71320DQNR的批量USD价格：0.04（1000+）

TLV71320DQNT，工作温度：-40 to 85，封装：X2SON (DQN)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71320DQNT的批量USD价格：0.273（1000+）

TLV71325 PSpice Transient Model (Rev. A)

交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸减小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率，此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

TIDA-00300 — 隔离式同步串行通信模块

此参考设计提供了隔离 I2C 或 SPI 通信线路的方法。电网基础设施应用中通常需要这种隔离，例如涉及高压的保护继电器和断路器。此参考设计提供电源隔离和信号隔离。

TIDM-02008 — Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU

此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数，并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。