TLV713P-Q1 系列低压降线性稳压器 (LDO) 具有较低的静态电流，并且线路和负载瞬态性能出色，适用于功耗敏感型应用。 此系列器件可提供典型值为 1% 的精度。

TLV713P-Q1 系列器件经过设计，无需使用输出电容即可稳定运行。 移除输出电容可实现极小的解决方案尺寸。 不过，TLV713P-Q1 系列器件与任何输出电容搭配使用时也可保持稳定（如果使用输出电容）。

TLV713P-Q1 还可在器件上电和使能期间提供浪涌电流控制。 TLV713P-Q1 会将输入电流限制为定义的电流限值，以防止从输入电源流出的电流过大。 此功能对于电池供电类器件尤为重要。

TLV713P-Q1 系列器件采用标准的 DBV 封装，并提供了一个有源下拉电路，用于使输出负载快速放电。 TLV713P-Q1 符合 AEC-Q100 1 级标准，因此适用于汽车应用。

• 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
  • 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
  • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
  • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C4B
• 输入电压范围：1.4V 至 5.5V
• 有无电容器均可实现稳定运行
• 折返过流保护
• 封装：5 引脚小外形尺寸晶体管 (SOT)-23
• 超低压降：150mA 时为 230mV
• 准确度：1%
• 低 IQ：50μA
• 可用固定输出电压范围：
  • 1V 至 3.3V
• 高电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率时为 65dB
• 有源输出放电

应用

• 汽车类主机
• 音频放大器
• DI 仪表板
• 高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 电子控制单元 (ECU)
• 微处理器轨
• USB
• 车身电子装置

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• Output options
• Fixed Output
• Iout (Max) (A)
• 0.15
• Vin (Max) (V)
• 5.5
• Vin (Min) (V)
• 1.4
• Vout (Max) (V)
• 3.3
• Vout (Min) (V)
• 1
• Fixed output options (V)
• 1, 1.2, 1.8, 2.5, 3.3
• Noise (uVrms)
• 73
• Iq (Typ) (mA)
• 0.05
• Thermal resistance θJA (°C/W)
• 249
• Rating
• Automotive
• Load capacitance (Min) (μF)
• 0
• Regulated outputs (#)
• 1
• Features
• Enable, Foldback overcurrent protection
• Accuracy (%)
• 1.5
• PSRR @ 100 KHz (dB)
• 17
• Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)
• 230
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

TLV713P-Q1的完整型号有：TLV71310PQDBVRQ1、TLV71312PQDBVRQ1、TLV71318PQDBVRQ1、TLV71325PQDBVRQ1、TLV71333PQDBVRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TLV71310PQDBVRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71310PQDBVRQ1的批量USD价格：.097（1000+）

TLV71312PQDBVRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71312PQDBVRQ1的批量USD价格：.097（1000+）

TLV71318PQDBVRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71318PQDBVRQ1的批量USD价格：.097（1000+）

TLV71325PQDBVRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71325PQDBVRQ1的批量USD价格：.097（1000+）

TLV71333PQDBVRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLV71333PQDBVRQ1的批量USD价格：.097（1000+）

TLV71312 PSpice Transient Model (Rev. A)

具有双向电源流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能源存储应用的一种理想候选方案。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。可供此设计使用的硬件和软件可帮助您
缩短产品上市时间。

PMP40690 — 采用 C2000 MCU 和 GaN 的 4kW 交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计

此参考设计是一款 4kW 交错式 CCM 图腾柱 (TTPL) 无桥 PFC 参考设计，采用了 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化镓器件和 TMCS1100 霍尔传感器。它基于使用 C2000™ MCU 的 TIDM-02008 双向交互式 CCMTTPL无桥 PFC 参考设计，并将整个 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化镓 (GaN) 器件用于功率级，可实现 98.73% 的峰值效率。该设计包含切相、自适应死区时间和输入电容补偿等高级功能，可提高负载范围内的 PF (...)

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

TIDA-01604 — 效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建，该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行，在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制，从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板（请参阅 TIDA-01605）能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离，可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)

TIDA-020032 — Car access Bluetooth low energy + CAN satellite module reference design

此卫星模块参考设计适用于低功耗 Bluetooth® 无钥匙进入及启动 (PEPS) 和手机即钥匙/数字钥匙汽车门禁系统。该设计说明了如何利用我们的蓝牙无线 MCU，为需要更高带宽车载网络通信的系统实现控制局域网灵活数据速率 (CAN-FD) 通信功能。其他优势包括：降低睡眠状态的功耗，CAN 自动寻址技术可简化制造，连接监视器功能可提高蓝牙定位精度，而且紧凑的印刷电路板 (PCB) 能测量蓝牙到达角 (AoA) 和接收信号强度指数 (RSSI)。

TIDA-020030 — SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET

此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级，可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET，可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围，可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度，还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。

PMP21495 — PMP21495

此参考设计为 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器设计，支持 380 VDC 至 600 VDC 输出和 280 VDC 至 450 VDC 输出。此设计使用 C2000 微控制器 TMS320F280049 以及碳化硅 (SiC) 驱动器 UCC21530-Q1 驱动初级侧和次级侧的电桥。此设计对 C2000 控制器 (TMDSCNCD280049C) 和 SiC 驱动器（PMP21553 和 PMP21561）实施子卡方法，并应用可实现同步整流器 (SR) 优化的 Rogowski 线圈和高带宽 OpAmp LMV116MF。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 (...)

PMP21999 — 6.6 kW, bi-directional CLLLC resonant converter reference design using PCB winding transformer

此 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器参考设计支持 380VDC 至 600VDC 输出和 280VDC 至 450VDC 输出。本设计采用了 PCB 绕组变压器和 Rogowski 线圈同步整流器 (SR) 控制，实现了对功率密度和效率的优化。本设计实现了一个子卡方法，包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驱动器（PMP22001 和 PMP22002）和偏置电源 (PMP22003)。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 700kHz 操作频率，峰值效率可达到 98%。

TIDA-01429 — 采用 CAN 的汽车分立式 SBC 预升压、后降压参考设计

TIDA-01429 参考设计先后使用了宽输入电压升压控制器和设置为 5.0V 的宽输入电压降压转换器。5.0V 电源用于为控制器局域网 (CAN) 收发器供电，紧凑型 3.3V 固定电压线性压降 (LDO) 稳压器用于为 C2000 微控制器供电。此设计已按照电波暗室 (ALSE) 方法进行了 CISPR 25 辐射发射测试，采用电压方法进行了 CISPR 25 传导发射测试，并根据 ISO 11452-4 进行了抗大电流注入 (BCI) 测试，所有测试均在 500KBPS 的速度下进行 CAN 通信操作。这是一款经过电磁兼容性 (EMC) 测试审查且采用控制器局域网 (CAN) 的 3 (...)

PMP11757 — 汽车类网关电源解决方案参考设计

PMP11757 参考设计是用于汽车网关的完整电源解决方案，可提供四种不同的输出电压（3.3V/1.6A、5.0V/250mA、2.5V/140mA、1.0V/110mA）。