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TMCS1100的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:传感器
  • 技术类目:磁传感器 - 霍尔效应电流传感器
  • 功能描述:具有外部基准的精密隔离电流传感器
  • 点击这里打开及下载TMCS1100的技术文档资料
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TMCS1100的产品详情:

TMCS1100 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,能够测量直流或交流电流,并具有高精度、出色的线性度和温度稳定性。低漂移、温度补偿信号链可以在器件的温度范围内实现 < 1% 的满量程误差。

输入电流流经内部 1.8mΩ 导体时,此导体产生的磁场可由集成式霍尔效应传感器进行测量。这种结构省去了外部集中器并简化了设计。低导体电阻可更大限度减少功率损耗和热耗散。固有的电镀绝缘在电流路径与电路之间提供了 600V 使用寿命内工作电压和 3kVRMS 基本型隔离。集成式电气屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

输出电压与输入电流成正比,并具有四个灵敏度选项。固定的灵敏度允许 TMCS1100 使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。当电流流入到正输入引脚时,电流极性被视为正极。 VREF 输入引脚提供了一个可变零电流输出电压,允许进行双向或单向电流检测。。

TMCS1100 消耗的最大电源电流为 6mA,所有灵敏度选项的额定工作温度范围均为 -40°C 至 +125°C。

TMCS1100的优势和特性:
  • 总体误差:典型值 ±0.4%,最大值 ±0.9%,–40°C 至 85°C
    • 灵敏度误差:±0.4%
    • 失调电压误差:7mA
    • 温漂:0.04mA/°C
    • 线性误差:0.05%
  • 使用寿命和环境漂移:<±0.5%
  • 3kVRMS 隔离额定值
  • 稳健的 600V 使用寿命内工作电压
  • 双向和单向电流检测
  • 外部基准电压
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 信号带宽:80kHz
  • 多个灵敏度选项:
    • TMCS1100A1:50mV/A
    • TMCS1100A2:100mV/A
    • TMCS1100A3:200mV/A
    • TMCS1100A4:400mV/A
  • 安全相关认证
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
TMCS1100的参数(英文):
  • Continuous current (Max) (A)
  • 20
  • Isolation working voltage VIOWM (rms) (V)
  • 424
  • Sensitivity (Typ) (mV/A)
  • 50, 100, 200, 400
  • Sensitivity error (%)
  • 0.2
  • Sensitivity error drift (+/-) (Max) (ppm/°C)
  • 50
  • Input offset current (+/-) (Max) (mA)
  • 25
  • Input offset current drift (+/-) (Typ) (μA/°C)
  • 0.1
  • Features
  • Externally Driven Zero Current Reference Voltage
  • Small signal bandwidth (kHz)
  • 80
  • Supply voltage (Max) (V)
  • 5.5
  • Supply voltage (Min) (V)
  • 3
  • Iq (Max) (mA)
  • 5
  • CMTI (kV/μs)
  • 25
  • Rating
  • Catalog
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
TMCS1100具体的完整产品型号参数及价格(美元):

TMCS1100的完整型号有:TMCS1100A1QDR、TMCS1100A1QDT、TMCS1100A2QDR、TMCS1100A2QDT、TMCS1100A3QDR、TMCS1100A3QDT、TMCS1100A4QDR、TMCS1100A4QDT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

TMCS1100A1QDR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A1QDR的批量USD价格:1.575(1000+)

TMCS1100A1QDT,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A1QDT的批量USD价格:1.89(1000+)

TMCS1100A2QDR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A2QDR的批量USD价格:1.575(1000+)

TMCS1100A2QDT,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A2QDT的批量USD价格:1.89(1000+)

TMCS1100A3QDR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A3QDR的批量USD价格:1.575(1000+)

TMCS1100A3QDT,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A3QDT的批量USD价格:1.89(1000+)

TMCS1100A4QDR,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A4QDR的批量USD价格:1.575(1000+)

TMCS1100A4QDT,工作温度:-40 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网TMCS1100A4QDT的批量USD价格:1.89(1000+)

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TMCS1100的评估套件:

TMCS1100EVM — Evaluation Module for TMCS1100

The TMCS1100EVM is a tool intended to facilitate rapid, convenient use of the TMCS1100, an isolated Hall-effect precision crrent sense monitor utilizing an external reference. This evaluation module allows the user to push the max operating current through the Hall-input side while measuring (...)

TMCS1100 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能,允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装,如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能,但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表,请参阅:SpiceRack - 完整列表

需要 HSpice (...)

PMP23069 — 功率密度大于 180W/in3 的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 设计

此参考设计是一款基于 GaN 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器,旨在实现更高的功率密度。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000 控制器可用于所有高级控制,包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 65kHz 的开关频率下运行,可实现 98.7% 的峰值效率。

PMP40690 — 采用 C2000 MCU 和 GaN 的 4kW 交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计

此参考设计是一款 4kW 交错式 CCM 图腾柱 (TTPL) 无桥 PFC 参考设计,采用了 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化镓器件和 TMCS1100 霍尔传感器。它基于使用 C2000™ MCU 的 TIDM-02008 双向交互式 CCMTTPL无桥 PFC 参考设计,并将整个 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化镓 (GaN) 器件用于功率级,可实现 98.73% 的峰值效率。该设计包含切相、自适应死区时间和输入电容补偿等高级功能,可提高负载范围内的 PF (...)

TIDA-010062 — 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计

此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计,适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。该高效设计支持两个主要功率级,包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC 功率级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET,可在较宽的负载范围内实现高效率,并且符合 80 plus titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级,以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。两个控制卡使用 C2000 Piccolo 微控制器来控制两个功率级。

PMP41006 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

TIDA-010059 — In-phase current-sense reference design for 230-VAC motor drives using hall-effect current sensors

此参考设计采用能测量电流的霍尔效应电流传感器 TMCS1100,绝对误差 < 1%(–40°C 至 125°C),工作隔离电压高达 600V。该低电阻、一体式封装的电流感应元件无需高侧电源即可提供紧凑、高效的电流感应解决方案,实现精密的电机扭矩、速度或位置控制。该逆变器功率级包括 600V LMG3411 氮化镓 (GaN) 功率模块,能使下一代电机驱动器进一步降低尺寸、提高效率。
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