TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。

• 符合汽车应用要求
• 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
• 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
• 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
• 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
• 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
• 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
• 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
• 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4?) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
• 用于功率级关断的三态 PWM 输入
• 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
• 热关断
• UVLO 保护
• 内部自举二极管
• 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
• 常见三态输入驱动器的高性能替代产品

• Bus voltage (Max) (V)
• 27
• Power switch
• MOSFET
• Input VCC (Min) (V)
• 4.5
• Input VCC (Max) (V)
• 8
• Peak output current (A)
• 6
• Rise time (ns)
• 10
• Operating temperature range (C)
• -40 to 105
• Undervoltage lockout (Typ)
• 3.5
• Rating
• Automotive
• Number of channels (#)
• 1
• Fall time (ns)
• 10
• Prop delay (ns)
• 14
• Iq (uA)
• 350
• Input threshold
• —
• Channel input logic
• —
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• 0
• Features
• Synchronous Rectification
• Driver configuration
• Single

TPS28225-Q1的完整型号有：TPS28225TDRBRQ1、TPS28225TDRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS28225TDRBRQ1，工作温度：-40 to 105，封装：SON (DRB)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS28225TDRBRQ1的批量USD价格：.654（1000+）

TPS28225TDRQ1，工作温度：-40 to 105，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS28225TDRQ1的批量USD价格：.654（1000+）

TPS28225 PSpice Transient Model

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