TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

• 同步降压控制器 (VDDQ)
  • 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
  • 负载阶跃响应为 100ns 的 D?CAP? 模式
  • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
  • 支持 S4/S5 状态内的软关闭
  • 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
  • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或输出范围 0.75V 至 3.0V
  • 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
• 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
  • 拉电流和灌电流的能力达到 3A
  • 提供 LDO 输入以优化功率损耗
  • 只需 20μF 陶瓷输出电容器
  • 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
  • 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
  • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
  • 热关断

• DDR memory type
• DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
• Control mode
• Current Mode, D-CAP
• Iout VDDQ (Max) (A)
• 25
• Iout VTT (Max) (A)
• 3
• Iq (Typ) (mA)
• 0.8
• Output
• VDDQ, VREF, VTT
• Vin (Min) (V)
• 3
• Vin (Max) (V)
• 28
• Features
• Complete Solution, Shutdown Pin for S3
• Rating
• Catalog

TPS51116的完整型号有：TPS51116PWP、TPS51116PWPR、TPS51116RGER、TPS51116RGET，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS51116PWP，工作温度：-40 to 85，封装：HTSSOP (PWP)-20，包装数量MPQ：70个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51116PWP的批量USD价格：1.082（1000+）

TPS51116PWPR，工作温度：-40 to 85，封装：HTSSOP (PWP)-20，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51116PWPR的批量USD价格：.915（1000+）

TPS51116RGER，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RGE)-24，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51116RGER的批量USD价格：.915（1000+）

TPS51116RGET，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RGE)-24，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51116RGET的批量USD价格：1.082（1000+）

TPS51116EVM-001 — TPS51116 存储器电源解决方案，同步降压控制器评估模块

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5V to 28V supply voltage and a 4.75V to (...)

TPS51116 PSpice Transient Model (Rev. B)

该 DDR 参考设计提供在 6A 电流条件下电压为 2.5V 的 VDDQ 和 1.25V 的 VTT。2.5V 同步降压转换器可实现 92% 的效率，而 1.25V 同步降压转换器通过实施内置 LDO 可最大程度减小面积，同时具有出众的跟踪性能。

PMP2543 — Altera Cyclone III

该 Cyclone III 电源管理设计是一套完整的非隔离式电源解决方案，可提供为 FPGA 供电所需的全部 5 种电源轨。该设计还包括适用于 DDR 存储器 VTT 和 VDDQ 电压轨以及 USB 电源的全套电源解决方案。该设计已经过优化，可为 Altera 3C25F324 入门套件供电。