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TPS51200-EP的基本参数
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TPS51200-EP的产品详情:

TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。

TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应,最低仅需 20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。

此外,TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压,提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RA4M)期间针对 DDR 进行 VTT 放电。

TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装,无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。

TPS51200-EP的优势和特性:
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20μF(通常为 3 × 10μF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程感测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动,欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
  • 热关断
  • 符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 规范
  • 支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装
  • 支持国防、航天和医疗 应用
    • 受控基线
    • 一个组装和测试场所
    • 一个制造场所
    • 支持军用温度范围(-55°C 至 125°C)
    • 延长的产品使用寿命周期
    • 延长的产品变更通知
    • 产品可追溯性
应用范围
  • 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • 笔记本、台式机和服务器
  • 电信和数据通信
  • 基站
  • 液晶 (LCD) 电视和等离子 (PDP) 电视
  • 复印机和打印机
  • 机顶盒

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TPS51200-EP的参数(英文):
  • DDR memory type
  • DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
  • Control mode
  • D-CAP, S3, S4/S5
  • Iout VTT (Max) (A)
  • 3
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.5
  • Output
  • VREF, VTT
  • Vin (Min) (V)
  • 1.1
  • Vin (Max) (V)
  • 3.5
  • Features
  • Complete Solution
  • Rating
  • HiRel Enhanced Product
TPS51200-EP具体的完整产品型号参数及价格(美元):

TPS51200-EP的完整型号有:TPS51200MDRCTEP、V62/16610-01XE,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

TPS51200MDRCTEP,工作温度:-55 to 125,封装:VSON (DRC)-10,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网TPS51200MDRCTEP的批量USD价格:4.453(1000+)

V62/16610-01XE,工作温度:-55 to 125,封装:VSON (DRC)-10,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网V62/16610-01XE的批量USD价格:4.453(1000+)

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TPS51200-EP的评估套件:

TPS51200EVM — TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

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