TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。

TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

• 符合汽车类 标准
• AEC-Q100 测试指导结果如下：的顶部
  • 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
  • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
• VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
• 具有压降补偿功能的灌电流/拉电流终端稳压器
• 所需最小输出电容为 20μF（通常为 3 × 10μF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
• 用于监视输出稳压的 PGOOD
• EN 输入
• REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
• 远程感测 (VOSNS)
• ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
• 内置软启动、UVLO 和 OCL
• 热关断
• 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
• 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装

• DDR memory type
• DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
• Control mode
• D-CAP, S3, S4/S5
• Iout VTT (Max) (A)
• 3
• Iq (Typ) (mA)
• 0.5
• Output
• VREF, VTT
• Vin (Min) (V)
• 1.1
• Vin (Max) (V)
• 3.5
• Features
• S3/S5 Support
• Rating
• Automotive

TPS51200-Q1的完整型号有：TPS51200QDRCRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS51200QDRCRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VSON (DRC)-10，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51200QDRCRQ1的批量USD价格：0.644（1000+）

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