TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

• 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
• VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
• VTT 端接稳压器
  • 输出电压范围：0.5V 至 0.9V
  • 2A 峰值灌电流和拉电流
  • 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
  • ±20mV 精度
• VTTREF 缓冲参考输出
  • VDDQ/2 ± 1% 精度
  • 10mA 灌/拉电流
• 支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 S3 和 S5 输入选择
• 过热保护
• 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装

• DDR memory type
• DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
• Control mode
• —
• Iout VTT (Max) (A)
• 2
• Iq (Typ) (mA)
• 0.17
• Output
• VREF, VTT
• Vin (Min) (V)
• 1
• Vin (Max) (V)
• 3.5
• Features
• S3/S5 Support
• Rating
• Catalog

TPS51206的完整型号有：TPS51206DSQR、TPS51206DSQT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS51206DSQR，工作温度：-40 to 105，封装：WSON (DSQ)-10，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51206DSQR的批量USD价格：0.22（1000+）

TPS51206DSQT，工作温度：-40 to 105，封装：WSON (DSQ)-10，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51206DSQT的批量USD价格：0.264（1000+）

TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51206EVM-745 评估模块 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是具有VTTREF 缓冲参数输出的输出/吸入双倍数据速率 (DDR) 终止稳压器。专门设计用于低输入电压、低成本、少外部组件数的（空间是主要考虑因素）的系统。TPS51206EVM-745 设计用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器（包括 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 等规格）提供 10-mA 缓冲参考电压。

TPS51206 PSpice Transient Model

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