TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ V_DDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

• 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
• 支持 DDR 内存终止，具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
• 外部跟踪
• 最少的外部组件数
• 0.9V 至 6V 转换电压
• D-CAP+ 模式架构
• 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
• 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
• 轻量级负载与重负载下的优化效率
• 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
• 可选过流限制 (OCL)
• 过压、过热和断续欠压保护
• 可调输出电压范围为 0.45V 至 2V
• 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

应用

• 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
• VTT 终止
• 用于 0.9V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

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• DDR memory type
• DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
• Control mode
• D-CAP+
• Iout VTT (Max) (A)
• 6
• Iq (Typ) (mA)
• 0.32
• Output
• VREF, VTT
• Vin (Min) (V)
• 0.9
• Vin (Max) (V)
• 6
• Features
• Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power Good, Tracking/Non-Tracking Mode
• Rating
• Catalog

TPS53317A的完整型号有：TPS53317ARGBR、TPS53317ARGBT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS53317ARGBR，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN (RGB)-20，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS53317ARGBR的批量USD价格：2.1（1000+）

TPS53317ARGBT，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN (RGB)-20，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS53317ARGBT的批量USD价格：2.52（1000+）

TPS53317AEVM-726 — 针对 TPS53317A 用于 DDR VTT 的同步降压转换器的评估模块

TPS53317AEVM-726 旨在演示 TPS53317A 在典型的低电压应用中模拟 DDR4 环境，并提供用于评估 TPS53317A 性能的许多测试点。TPS53317AEVM-726 使用 1.2V 电压轨，可在高达 6A 的负载电流下产生 0.6V 的稳压输出。

TPS53317A PSpice Transient Model

PMP11399 是完整的 PMBus 电力系统，可以为 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存、VTT 终端供电，并为高性能以太网交换机提供辅助电压。硬件附带有 GUI，便于用户对电源执行实时配置和监控。