- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：直流/直流开关稳压器 - 降压稳压器
- 功能描述：适用于 VR12.0 微服务器的两相 D-CAP+ 降压控制器
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TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性（例如 D-CAP+ 架构）借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时，该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用，可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器，应用可以覆盖默认启动电压。TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。
- 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
- 单相或两相运行
- 支持零负载和非零负载线路应用
- 8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
- 优化了轻负载和重负载条件下的效率
- 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
- 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
- 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
- 精确可调电压定位
- 300kHz 至 1MHz 的频率选择
- 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
- 可选 8 级电流限制
- 4.5V 至 28V 转换电压范围
- 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD? 集成电路封装
- Vin (Min) (V)
- 4.5
- Vin (Max) (V)
- 24
- Vout (Min) (V)
- 0.5
- Vout (Max) (V)
- 1.52
- Iout (Max) (A)
- 60
- Iq (Typ) (uA)
- 10000
- Switching frequency (Min) (kHz)
- 300
- Switching frequency (Max) (kHz)
- 1000
- Features
- Adjustable Current Limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Phase Interleaving, Power Good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification
- Regulated outputs (#)
- 1
- Number of phases
- 2
- Rating
- Catalog
TPS53625的完整型号有：TPS53625RSMR、TPS53625RSMT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
TPS53625RSMR，工作温度：-40 to 105，封装：VQFN (RSM)-32，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS53625RSMR的批量USD价格：1.375（1000+）
TPS53625RSMT，工作温度：-40 to 105，封装：VQFN (RSM)-32，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS53625RSMT的批量USD价格：1.65（1000+）
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TIDA-00507 — 用于微型服务器的高功率密度 9V 至 15V 输入 Intel Atom C2000 SoC VCCP 和 VNN 电源轨参考设计
TI TPS53625 VR12 参考设计 (TIDA-00507) 支持 Intel Atom C2000，使用 TI 的无驱 PWM 架构与 TI 功率级相结合，带来高功率密度、高效率和低组件数，同时凭借低波纹和高输出电流监控精度来满足 Intel 电压容限要求。
