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TPS54116-Q1的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:DDR 存储器电源 IC
  • 功能描述:采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案
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TPS54116-Q1的产品详情:

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。

TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25m? 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。

该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。

该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。

TPS54116-Q1的优势和特性:
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
  • 4A 同步降压转换器
    • 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
    • 固定频率电流模式控制
    • 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
    • 与一个外部时钟同步
    • 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
    • 可调逐周期峰值电流限制
    • 针对预偏置输出的单调性启动
  • 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器
    • 与 2 × 10μF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
    • 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
  • 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
  • 热关断
  • 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
  • 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装
应用
  • 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
  • 信息娱乐和仪表板
  • 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

All trademarks are the property of their respective owners.

TPS54116-Q1的参数(英文):
  • DDR memory type
  • DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4
  • Control mode
  • Current Mode
  • Iout VDDQ (Max) (A)
  • 4
  • Iout VTT (Max) (A)
  • 1
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.65
  • Output
  • VDDQ, VREF, VTT
  • Vin (Min) (V)
  • 2.95
  • Vin (Max) (V)
  • 6
  • Features
  • Complete Solution, Power Good, Shutdown Pin for S3
  • Rating
  • Automotive
TPS54116-Q1具体的完整产品型号参数及价格(美元):

TPS54116-Q1的完整型号有:TPS54116QRTWRQ1、TPS54116QRTWTQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

TPS54116QRTWRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTW)-24,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网TPS54116QRTWRQ1的批量USD价格:2.2(1000+)

TPS54116QRTWTQ1,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTW)-24,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网TPS54116QRTWTQ1的批量USD价格:2.64(1000+)

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TPS54116-Q1的评估套件:

TPS54116-Q1EVM-830 — TPS54116-Q1 汽车类 DDR 电源解决方案评估模块

此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时,可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器,旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。

TPS54116-Q1 PSpice Transient Model

此解决方案旨在为使用 TDA3x SoC(无需汽车电池输入)的 ADAS 应用创建尺寸经优化的集成电源设计。通过仅面向需要较低处理性能的应用,我们可以选择的器件和组件将比采用较高性能处理器的系统更小。
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