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TPS650830的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:多通道 IC (PMIC)
  • 功能描述:用于 Skylake 处理器的可编程中等输入电压范围电源管理 IC (PMIC)
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TPS650830的产品详情:

TPS650830 是一款单芯片解决方案电源管理集成电路 (IC),专为最新的 Intel 处理器而设计,主要应用于由 2 节、3 节或 4 节串联锂离子电池组供电且采用 NVDC 或非 NVDC 电源架构的平板电脑、超极本和笔记本电脑。

TPS650830 应用于 Volume 系统,该系统采用合并式低电压轨,可实现体积最小且成本最低的系统电源解决方案。

TPS650830 可基于 Intel 参考设计提供完整的电源解决方案。 该器件具有 5 个高效降压稳压器 (VR) 和 1 个灌/拉 LDO,可与上电序列逻辑器件搭配使用以管理外部负载开关,从而提供正确的电源轨、排序和保护,其中包括 DDR3 和 DDR4 存储器电源。 该稳压器支持动态电压调节 (DVS),可最大限度地提高效率(包括联网待机功能)。 高频稳压器采用小型电感和电容,以减小解决方案体积。 可通过 4 个 VR 控制器调节输出功率。 凭借 I2C 接口,可以通过嵌入式控制器 (EC) 轻松加以控制。 每个器件版本均提供 7x7 NFBGA 和 9x9 NFBGA 两种封装。 7x7 NFBGA 封装适用于类型 4 印刷电路板 (PCB),可实现最小电路板面积。 9x9 NFBGA 封装适用于类型 3 和类型 4 PCB 板,可最大限度地降低成本并缩小电路板面积。

TPS650830的优势和特性:
  • 5 个可重新配置的稳压器:
    • 可在宽输入电压和宽输出电流范围内保持高效
    • 可更改电压、电流和序列以优化系统
    • 4 个采用外部功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的可变输出电压降压控制器:
      • VR1 = 1V;VR3 = 3.3V,VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V(对于 DDRx VDDQ),VR5 = 5V
      • VIN 范围:5.4V 至 24V
      • 采用外部功率 MOSFET,连续输出电流范围为 <1A 至 >10A
    • 1 个带有内部功率 MOSFET 的可变输出电压降压转换器:
      • VR2 = 1.8V
      • VIN 范围:3V 至 3.6V
      • 高达 2A 的持续输出电流
    • 输出电压直流精度 ±1%;直流 + 交流精度 ±5%,支持差分输出电压感测
    • 在超低静态电流模式下,每个控制器或转换器的静态电流典型值为 30μA
  • 3 个固定输出电压低压降线性稳压器 (LDO):
    • LDO1:1/2 VR4 固定输出电压 LDO(对于 DDRx VTT)(Vout = VDDQ/2)
      • 连续输出电流高达 1A,直流 + 交流精度 ±5%,峰值电流为 2A
    • LDO3:3.3V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 40mA
      • 用于外部模数转换器 (ADC) 的高精度参考电源
      • 用于 EC_VCC 电源轨的 3.3V 负载开关
    • LDO5:5V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 100mA
      • 用于控制器和转换器栅极驱动的电源
      • 可自动切换至 5V 稳压器以实现高效率
  • 8 个用于外部稳压器、负载开关或 LDO 的电源正常状态比较器和序列逻辑
  • 支持电源按钮逻辑且可编程响应时间
  • 2 个通用电平转换器
  • 用于实时时钟 (RTC) 域的备用电池/3.1V LDO 选择器输出
  • 电源检测和监视:适配器、电池 1 和电池 2
  • 过温保护比较器,用于堆叠式正温度系数 (PTC) 热敏电阻或单个负温度系数 (NTC) 热敏电阻
  • 1Hz 嵌入式控制器 (EC) 唤醒时钟输出
  • 先进的系统复位控制
  • I2C 接口:标准模式 (100kHz),快速模式 (400kHz),快速模式+ (1000kHz)
应用
  • NVDC 或非 NVDC 电源系统架构
  • 2 节、3 节或 4 节串联锂电池供电类产品
  • 平板电脑、超极本、二合一电脑和笔记本电脑
  • 移动 PC、一体化计算机、移动因特网设备
  • 现场可编程逻辑门阵列 (FPGA),工业计量设备,个人医疗产品

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TPS650830的参数(英文):
  • Regulated outputs (#)
  • 8
  • Vin (Min) (V)
  • 5.4
  • Vin (Max) (V)
  • 24
  • Iout (Max) (A)
  • 25
  • Rating
  • Catalog
  • LDO
  • 3
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.095
  • Features
  • Comm Control, Dynamic Voltage Scaling, Eco-mode, Enable, Enable Pin, I2C Control, Over Current Protection, Power Good, Power Sequencing, Synchronous Rectification, Thermal Shutdown, UVLO Fixed
  • Processor name
  • Skylake, Kaby Lake
  • Processor supplier
  • Intel/Altera
  • Shutdown current (ISD) (Typ) (uA)
  • 95
  • Switching frequency (Typ) (kHz)
  • 2000
  • Configurability
  • Factory programmable, Software configurable
TPS650830具体的完整产品型号参数及价格(美元):

TPS650830的完整型号有:TPS650830ZAJR、TPS650830ZAJT、TPS650830ZCGR、TPS650830ZCGT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

TPS650830ZAJR,工作温度:-40 to 85,封装:NFBGA (ZAJ)-168,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:SNAGCU,TI官网TPS650830ZAJR的批量USD价格:2.896(1000+)

TPS650830ZAJT,工作温度:-40 to 85,封装:NFBGA (ZAJ)-168,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:SNAGCU,TI官网TPS650830ZAJT的批量USD价格:3.475(1000+)

TPS650830ZCGR,工作温度:-40 to 85,封装:NFBGA (ZCG)-159,包装数量MPQ:1000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:SNAGCU,TI官网TPS650830ZCGR的批量USD价格:2.896(1000+)

TPS650830ZCGT,工作温度:-40 to 85,封装:NFBGA (ZCG)-159,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:SNAGCU,TI官网TPS650830ZCGT的批量USD价格:3.475(1000+)

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TPS650830的评估套件:

TPS650830EVM-095 — TPS650830 评估模块

TPS650830EVM-095 是一款适用于 TPS650830 的评估模块 (EVM) 板。此 EVM 能为工程师提供一个在实际应用用例中评估、测试和探究 TPS650830 的平台。处理器和系统所需的全部定序和功能都展示在了此板上。此 EVM 还具备更改预设配置和测试独特应用的功能。

TPS65083x EVM GUI

PMP9548A 参考设计提供一个具有 TPS650830 6 通道 PMIC 的完整 Skylake 平台系统电源。
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