TPS650864 器件系列是一款单芯片电源管理 IC (PMIC)，专为 Xilinx Zynq^®多处理器片上系统 (MPSoC) 和现场可编程门阵列 (FPGA) 系列产品而设计。TPS650864 器件的输入电压范围为 5.6V 至 21V，用途 广泛 （请参阅 器件比较表）。该器件适用于墙壁式供电 应用 或 2S、3S 或 4S 锂离子电池组（NVDC 或非 NVDC 电源架构）。请参阅 典型应用 章节，以了解 5V 输入电源。该 D-CAP2™和DCS-Control 高频稳压器采用小型无源器件，以减小解决方案尺寸。D-CAP2 和 DCS-Control 拓扑具有出色的瞬态响应性能，非常适用于具有快速负载开关的处理器内核和系统内存电压轨。I²C 接口可通过嵌入式控制器 (EC) 或 SoC 进行轻松控制。PMIC 的尺寸为 8mm × 8mm，采用单行 VQFN 封装，所带的散热垫可改善散热功能。

• 5.6V 至 21V 的宽输入电压范围
• 三个采用 D-CAP2? 拓扑的可变输出电压同步降压控制器
  • 使用外部 FET 的可扩展输出电流，支持可选电流限制
  • 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或在 1V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
• 三个采用 DCS-Control 拓扑的可变输出电压同步降压转换器
  • 输入电压范围为 3V 至 5.5 V
  • 输出电流高达 3A
  • 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或在 0.425V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
• 三个具有可调节输出电压的 LDO 稳压器
  • LDOA1：I2C 可选输出电压为 1.35V 至 3.3V，输出电流最高 200mA
  • LDOA2 和 LDOA3：I2C 可选输出为 0.7V 至 1.5V，各输出电流均为最高 600mA
• 用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO
• 三个具有压摆率控制功能的负载开关
  • 输出电流高达 300mA，压降小于标称输入电压的 1.5%
  • 输入电压为 1.8V 时，RDSON < 96mΩ
• 5V 固定输出电压 LDO (LDO5)
  • 用于 SMPS 的栅极驱动器和 LDOA1 的电源
  • 可自动切换至外部 5V 降压以实现更高效率
• 内置可通过工厂 OTP 编程功能实现的灵活性和可配置性
  • 六个 GPI 引脚均可配置为启用（CTL1 至 CTL6）任意所选电压轨或使其进入睡眠模式（CTL3 和 CTL6）
  • 四个 GPO 引脚均可配置为指示任意所选轨道的电源正常
  • 漏极开路中断输出引脚
• I2C 接口支持标准模式 (100kHz)、快速模式 (400kHz) 和超快速模式 (1MHz)

• Regulated outputs (#)
• 12, 13
• Vin (Min) (V)
• 5.6
• Vin (Max) (V)
• 21
• Iout (Max) (A)
• 25
• Rating
• Catalog
• LDO
• 4
• Iq (Typ) (mA)
• 0.3
• Features
• Comm Control, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Enable Pin, I2C Control, Over Current Protection, Power Good, Power Sequencing, Synchronous Rectification, Thermal Shutdown, UVLO Fixed
• Processor name
• Zynq Ultrascale+, Artix-7
• Processor supplier
• Xilinx
• Shutdown current (ISD) (Typ) (uA)
• 65
• Switching frequency (Typ) (kHz)
• 2500
• Configurability
• Factory programmable, Software configurable

TPS650864的完整型号有：TPS65086401RSKR、TPS65086401RSKT、TPS6508640RSKR、TPS6508640RSKT、TPS6508641RSKR、TPS6508641RSKT、TPS65086470RSKR、TPS65086470RSKT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS65086401RSKR，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS65086401RSKR的批量USD价格：3.824（1000+）

TPS65086401RSKT，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS65086401RSKT的批量USD价格：4.589（1000+）

TPS6508640RSKR，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS6508640RSKR的批量USD价格：3.824（1000+）

TPS6508640RSKT，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS6508640RSKT的批量USD价格：4.589（1000+）

TPS6508641RSKR，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS6508641RSKR的批量USD价格：3.824（1000+）

TPS6508641RSKT，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS6508641RSKT的批量USD价格：4.589（1000+）

TPS65086470RSKR，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS65086470RSKR的批量USD价格：3.824（1000+）

TPS65086470RSKT，工作温度：-40 to 85，封装：VQFN (RSK)-64，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS65086470RSKT的批量USD价格：4.589（1000+）

TPS650860EVM-116 — TPS650860 评估模块

TPS65086x 系列的评估模块 (EVM)。此 EVM 能为工程师提供一个在实际应用用例中评估、测试和探究 TPS650860 的平台。处理器和系统所需的全部定序和功能都展示在了此板上。此 EVM 还具备更改预设配置和测试独特应用的功能。

Flotherm Model for TPS65086x products

This reference design is a configurable power solution designed to handle the entire Xilinx Zynq UltraScale+ (ZU+) family of MPSoC devices across various use cases.

The various versions of the TPS65086x PMIC allow this design to power devices from the basic ZU2CG device with a dual-core Arm (...)