TPS65296 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 LPDDR4/LPDDR4X 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 LPDDR4/LPDDR4X 加电和断电顺序要求。TPS65296 采用两个同步降压转换器（VDD1 和 VDD2）和一个 1.5A LDO (VDDQ)。

TPS65296 采用 D-CAP3™ 模式，开关频率为 600kHz，可实现快速瞬态响应、良好的负载/线路调节，并支持陶瓷输出电容器，而无需外部补偿电路。

TPS65296 利用内部的低 Rdson 电源 MOSFET 提供了丰富的功能和很高的效率。它支持灵活的电源状态控制，在 S3 状态下将 VDDQ 置于高阻抗状态，在 S4/S5 状态下对 VDD1、VDD2 和 VDDQ 进行放电。全面的保护特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。该器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™ VQFN 封装，并且设计用于在 –40°C 至 125°C 的结温范围内工作。

• 同步降压转换器 (VDD2)
  • 输入电压范围：4.5V 至 18V
  • 输出电压固定为 1.1V
  • D-CAP3? 模式控制，可实现快速瞬态响应
  • 持续输出电流：8A
  • 高级 Eco-mode? 脉冲跳跃
  • 集成式 22mΩ/8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
  • 600kHz 开关频率
  • 内部软启动：1.6ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV/UV 保护
• 同步降压转换器 (VDD1)
  • 输入电压范围：3V 至 5.5V
  • 输出电压固定为 1.8V
  • D-CAP3? 模式控制，可实现快速瞬态响应
  • 持续输出电流：1A
  • 高级 Eco-mode? 脉冲跳跃
  • 集成式 150mΩ/120mΩ RDS(on) 内部电源开关
  • 580kHz 开关频率
  • 内部软启动：1ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV/UV 保护
• 1.5A LDO (VDDQ)
  • 1.5A 持续输出电流
  • 仅需 10μF 的陶瓷输出电容
  • 在 S3 状态下支持高阻态输出
  • ±30mV VDDQ 输出精度（直流 + 交流）
• 低静态电流：150μA
• 电源正常指示器
• 输出放电功能
• 加电和断电排序控制
• 非锁存 OT 和 UVLO 保护
• 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod? VQFN 封装

• DDR memory type
• LPDDR4, LPDDR4X
• Control mode
• D-CAP3
• Iout VDDQ (Max) (A)
• 8
• Iout VTT (Max) (A)
• 1.5
• Iq (Typ) (mA)
• 0.15
• Output
• VDDQ, VREF, VTT
• Vin (Min) (V)
• 4.5
• Vin (Max) (V)
• 18
• Features
• Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support
• Rating
• Catalog

TPS65296的完整型号有：TPS65296RJER，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS65296RJER，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN-HR (RJE)-18，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS65296RJER的批量USD价格：1.74（1000+）

TPS65295EVM-079 — TPS65295EVM-079

TPS65295 评估模块 (EMV) 用于评估 TPS65295 器件。TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器（VPP 和 VDDQ）与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™ 模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。