TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。

TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

• 符合汽车类 应用要求
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
• 与 1μF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
• 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
• 超低压降：1A 为 130mV（典型值）
• 即使使用仅为 1μF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
• NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
• 初始精度为 1%
• 整个线路、负载和温度范围内的精度达 3%
• 关断模式下静态电流小于 20nA（典型值）
• 通过热关断和电流限制实现故障保护
• 提供了多个输出电压版本

• Output options
• Fixed Output
• Iout (Max) (A)
• 1
• Vin (Max) (V)
• 5.5
• Vin (Min) (V)
• 2.2
• Vout (Max) (V)
• 3.3
• Vout (Min) (V)
• 1.9
• Fixed output options (V)
• 1.9, 3.3
• Noise (uVrms)
• 51
• Iq (Typ) (mA)
• 0.4
• Thermal resistance θJA (°C/W)
• 52
• Rating
• Automotive
• Load capacitance (Min) (μF)
• 1
• Regulated outputs (#)
• 1
• Features
• Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection
• Accuracy (%)
• 3
• PSRR @ 100 KHz (dB)
• 32
• Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)
• 130
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

TPS737-Q1的完整型号有：TPS73719QDRBRQ1、TPS73733QDRBRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS73719QDRBRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SON (DRB)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS73719QDRBRQ1的批量USD价格：.69（1000+）

TPS73733QDRBRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SON (DRB)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS73733QDRBRQ1的批量USD价格：.69（1000+）

TPS73733 PSpice Transient Model

级联开发套件具有两个主要用例：

要使用 MMWCAS-DSP-EVM 作为捕获卡，并通过 mmWave Studio 工具完整评估 AWR2243 四芯片级联性能，请查看 TIDEP-01012 设计指南。

要使用 MMWCAS-DSP-EVM 开发雷达实时 SW 应用，请查看 TIDEP-01017 设计指南。

此参考设计使用了级联成像雷达射频系统。级联雷达设备可支持远距离雷达 (LRR) 波束形成应用，以及具有增强型角分辨率性能的中距离雷达(MRR) 和短距离雷达 (SRR) 多输入多输出 (MIMO) 应用。

AWR2243 级联雷达射频开发套件用于通过多器件、波束形成配置估算和跟踪物体在 (...)

TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 为高性能微控制器连接 NVM（在 SDRAM 上下载和执行应用程序）

此参考设计展示了如何实施非易失性存储器和 SDRAM 并通过接口将其连接至 TM4C 产品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。为了实现此设计，其中采用了微控制器的 EPI 接口在 60MHz 下连接 256Mbit SDRAM，而采用 QSSI 接口在 60MHz 下连接非易失性存储器（如 SD 卡和四串行闪存），因此可让开发人员在 TM4C1294 微控制器的最大内部存储器基础上扩展代码和数据空间。

TIDA-01512 — 适用于 NXP QorIQ LS2085A/88A 处理器的 PMBus 稳压器参考设计

TIDA-01512 采用 TPS53681 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率级，可实现适合为 NXP QorIQ 通信处理器供电的高性能设计。

该控制器的双路输出分别面向具有四相设计的 60ATDC、1.0V 内核轨和 30ATDC、1.2V 辅助轨。通过采用智能功率级和集成 PMBus 功能，可轻松设置输出电压、遥测关键设计参数以及进行补偿调整。

在验证过程中可在 NXP 参考板上看到输出电容减少超过 50%。

TIDM-TM4C129POEAUDIO — 以太网供电 (PoE) 音频通信参考设计

本设计使用具有集成以太网 PHY 的德州仪器 (TI) 高性能 TM4C129x 微处理器 (MCU) 借助网络提供的电源（PoE 解决方案）而非单独的外部电源来高效捕获、交换和回放音频。该应用使用 TivaWare 图形库来实现用户界面，使用户界面具有触控、具有通过网络交换数据的 lwIP，以及通过压缩音频数据来改善带宽利用的 Opus Audio Codec。

TIDM-TM4C129POE — TM4C129POE 适用于 IoT 连接的以太网供电 (PoE) 参考设计

此设计将德州仪器 (TI) 的 PoE 解决方案与 TM4C129x 高性能微控制器相集成，使客户能够在小型电路板中开发面向 IoT 的应用。能够借助云通过现有网络电缆智能地收集、处理和交换数据，从而提升终端应用的价值。

TIDM-TM4CFLASHSRAM — 用于高性能 MCU 上的代码下载与执行的并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计

此参考设计展示了如何实现异步并列式闪存和 SRAM 存储器并将其连接到性能微控制器 TM4C129。通过在主机总线 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于连接 1Gbit-8Mbit 范围的 16 位并列式闪存和 16Mbit 16 位并行式 SRAM 的多种芯片选择来构建此实施，开发人员便可将代码和数据空间扩展到 TM4C1294 微控制器最大内部存储器的范围之外。

TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 和高性能 MCU 的可配置串口转以太网转换器参考设计

传统产品可能只包含一个串行端口。由于此类终端设备 (EE) 无法添加到共享网络并远距离访问（例如从远程控制站访问），因此其访问正日益成为一项挑战。串行转以太网 (S2E) 转换器提供了一种简单的方法来克服此类 EE 带来的挑战。此参考设计利用基于以太网的 TM4C129x（以前称为 Tiva）微控制器来实现 S2E 转换器，从而加快上市时间并节省成本。